返回首页
当前位置: 首页 > 技术参数

HBM3DDR5内存技术参数首次公开:均基于7nm打造

时间:2018-12-13 09:12:23来源:本站 作者: 点击:
  

  不是很懂这家公司,曾经的“专利流氓”Rambus今天居然公开了DDR5内存和HBM3存储的技术参数。

  德媒ComputerBase报道称,Rambus的规划显示,HBM3基于7nm工艺制造,带宽高达4GT/s,封装架构更加复杂。

  按照单芯片1024bit位宽,速度就可以实现512GB/s到1TB/s,也就是比HBM2直接翻了两番。

  其实在今年9月,Rambus就号称在实验室搞定了第一块完整工况的DDR5验证产品,电压还只有1.1V。

  然而,必须指出的是,至少在整个2018年,HBM3/DDR5的影子都不会见到,最快最快也需要2019年。

  Rambus到底是用PPT吓人还是真有几把刷子,那就不得而知了。只希望这种技术出来以后,不要再凭借专利去到处“咬人”,而且当年Intel因为硬上Rambus RDRAM被结结实实坑了一把。

来顶一下
近回首页
返回首页
------分隔线----------------------------
发表评论 共有条评论
栏目最新
热点内容
相关内容
    无相关信息